电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2
来源:学生作业帮 编辑:拍题作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/05/31 20:25:40
电路选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( )的.
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题,只有一个答案的
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( )的.
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题,只有一个答案的
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N:negative(负)的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( B )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N:negative(负)的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( B )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue
电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
N型杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素,该元素的价数为( ) A.2价 B.3价 C.4价 D.5价
在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体.
本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度?
在半征半导体中加入五价元素后可以形成什么型半导体?其少是?
1.半导体的三大特性是光敏性_和_.N型半导体的形成是在本在半导体中掺入_价元素.
1.N型半导体中,多数载流子是( ).A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有( )PN结.A
在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体.
在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么?
n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多
半导体中的空穴数量大大超过自由电子的数量,成为空穴导电为主的半导体,称为?型(A)N型(B)P型(C)PN型(D)NP型