晶体管原理

偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时,基极-射极之间集电极-基极之间应该设置的电压.因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的pn结应该正偏,集电极-基极之间的pn应该反偏、因此,设

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

应该是晶体管的最大耗散功率.BJT的输出交流功率与其耗散功率成正比,要求耗散功率越大越好.晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出交流功率的

晶体管是通过调节基极电流来用作开关工作的

晶体管基极受稳压管钳位,电压相对于电源负极不变,当电源输入电压升高时,升高的电压都加在电阻R1上,从而导致晶体管发射极-基极电压升高,于是基极电流增加,经放大后发射极电流大幅度增加,从而导致R2上压降

晶体管点火器首先对点火正时作了编程,存于点火器中.感应线圈安置在发电机内,它所感生的信号被发送至波形配置电路,由中央处理机接受该信号,并计算出最佳点火时间.以及存入固定存储器中（ROM）中的数据,由中

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结.所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置.晶体三极管都

就是改变集电极和基极的电流比,从而改变晶体管的放大倍数

电路的电压放大少不了它.

太落后了,几十年前的电路,.现在拖拉机用的都要比这个高级多了.R3,R4,R5,Z2,构成一个基准电压,当电压高时,T1发射极电位升高,而T1基极处于基准电压,就会有基极电流,三极管有放大作用,T1集

下面的回答真JB差扬声器（喇叭）的电阻是定值,可认为是纯电阻电路.计算电功的公式是W=UIt根据I=U/R有,U=IR,则在纯电阻电路中W=I平方·R·tW1:W2=20·20·R·t:200·200

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体

这种晶体管的基极开路,集电结上加有反向电压,而发射结上加有正向电压,因此晶体管处于放大状态；这时发射结是导电的,但能够通过的电流就只能是集电结反向电流ICBO；然后这个ICBO经过放大而输出到集电极,

晶体管晶体管（transistor计：MOStransistor;npn化：transistor）【简介】晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信

电源接通后,由于两个三极管的参数差异,放大倍数高的先行导通,构成一种稳态.负脉冲来了以后,截止的三极管没反应.导通的三极管截止,集电极电压升高,同时拉高对面三极管的基极电压,使其由截止变导通,构成另一

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它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能.初期,这两种功能几乎都是由真空管来完成的.

其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）,其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）.发射结通过的电流,是由发射区注入到基区的电子形成的,这些电子的小部