晶体管单级放大电路讨论电阻RL对放大倍数的影响.
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/29 13:59:03
在输出电路中的受控电流源与其他电路中的独立电流源一样,内阻是无限大,在分析电路的电阻时认为是开路.
你画一个交流等效图,你就看出来输出阻抗等于集电极上电阻并上RL整个放大的倍数与输出阻抗成正比,也就是说RL越小,增益越小. 但一般都要求电路输出阻抗(不含RL)尽量小,这样RL并联好才对放大倍数没太大
Rc越大,电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大.Ri越大,电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响.静态工作点中电流越大,电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响.但静态工
1问其实2.3.13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2.3.7a
静态工作点是为了使晶体管在小信号放大时不失真;交流参数没有影响.Rc,Rl对放大器输入电阻没有影响,输入电阻主要有晶体管be结电阻rbe组成.一般,Rc,Rl越大,放大倍数越大;Rc越大,输出电阻越大
共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.
一定在用三极管吗?有运放不就得了你说的那几个参数,一般垃圾点的运放都能达到的,用不着三极管的呀
有计算方法,参考模拟电路一书
1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变
增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.
输出电压/负载阻抗=输出电流.信号电压/输入阻抗=输入电流,不知你要求什么电流?
你的问题我没有看明白,只能按照两种理解来回答:对于电路上同一测量点来说,或是任意的其他测量中,实测值和理论值产生都会产生偏差,这个偏差与测量设备的精度有关系,也就是存在固有误差.在单管放大电路中,输出
分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=24/(51+24)=0.32基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.32×12V=3.84V基极偏置电源等效内阻Rb=Rb1//Rb2=24×51/(24+5
按书本上的标准答案是B.但实际上,负载电阻增大到一定程度时,再继续增加,电压放大倍数会减少,这是由于集电极电流降低带来的电流放大系数降低所导致的.
同一点接入为并联,不同节点接入为串联
只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!
看晶体管的输入和输出部分,如果基极和发射极构成输入回路,集电极和发射极构成输出回路,那么就是共射如果发射极和基极构成输入回路,集电极和基极构成输出回路,那么就是共基如果基极和集电极构成输入回路,发射极
1、静态工作点:IB=Ucc/RB=0.05mA,Ic=阝IB=2mA,UCE=Ucc-IcRc=6V;2、电压放大倍数:Au=-阝(RL//Rc)/rbe=-100.
输入电阻越大越好,对前级影响小,输出电阻越小越好,带负载能力强.再问:你好能具体点么理由谢谢了
这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路;如果电容从集电极上引出就是共射极电路;如果是从发射极引出就是共集电极电路;而共基极电路中明显的区别是基极