作业帮制造半导体元件时,利用等厚条纹测出厚度
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/30 12:52:24
射进SiO2波长变了然后是八次相消的长度3.42-1.5,差再除以8,应该是这样再问：求过程~~
1-分光板,它的一面涂以半反半透膜2-补偿板,作用是实现光补偿3-固定反光镜,作用是将光反射回去4-移动反射镜,作用是调节光程差5-固定反射镜垂直和水平拉簧螺钉6-微调手轮7-粗调手轮8-底座水平调节
（1）由图可知，当温度为70℃时，发热功率和散热功率相等，即此时物体的温度不再变化；当温度高于稳定温度时，由图可知散热功率大于发热功率；由P=U2R可得，此时功率减小，而电压不变，故说明电阻在增大．（
再求答案大家都是深大的吧唉.折磨啊哈哈,我找到了后面3道题的答案,想要的留下QQ
顾名思义!半导体是介于导体和绝缘体之间的材料!我门常用的多是硅和锗!半导体的原理和构造你可参阅"基础半导体"一书!在此不赘述!从最简单的半导体二极管到今天的超大规模集成电路,半导体才走过了几十年!过去
增大.因为p=u*u/r,70℃之后,温度继续升高,电压必然继续增大,而发热功率p继续减小,则r必然继续增大.
硅单质再答：做成一个硅板再答：
等倾是入射角度不同的光具有不同的光程差.等厚是不同位置的光（入射方向一致）具有不同的光程差.所以牛顿是等厚.迈克尔逊干涉实验中,两面镜子不严格平行的时候是等厚,严格平行的时候是等倾
迈克尔逊干涉条纹是等倾干涉,并且条纹是直条纹,等间距.牛顿环条纹是同心圆,且不等间距,越靠近中心越稀疏,条纹越大.相同的是都是明暗相间,暗纹对应的光程差都是半波长的奇数倍.
我问你第一个暗条纹,k为0还是1,搞清楚这一点就可以了.显然第一条暗纹的k取值为0,所以,第七条暗纹的k取值自然是6了.
可行的办法有降低电压或者曾加滑动变阻器的最大阻值所以a和c正确再问：只能从1V左右向上调，1V以下怎么也调不到，这是什么原因呢？再答：用串联电阻分压来解释R1比R2=U1比U2串联电阻U1+U2等于总
等倾干涉是对于光线射向厚度均匀的薄膜的入射角相同的相互干涉后在同一条纹上.发光面有一个点是凸透镜的焦点其他是焦平面上的点,焦点的平行光线干涉后通过凸透镜是整体干涉图像的圆心,剩余的与焦点距离相等的点发
θ=sinθ=λ/2nl=589.3x10-6/1.52x5=3.88x10-5=8
从两玻璃片接触处开始看使得光的传播介质不同,这样就造成了它的路程差d=n⋌/2,出现了强弱区分明显的干涉图案.牛顿环 又称“牛顿圈”.在光学上,牛顿环是一个薄膜干涉现象.&nbs
实验和理论都可以证明薄膜干涉条纹是等厚线,可以查看普通物理光学,这里文字少不能说完.相邻两亮条中心处薄膜的厚度差是λ/4
设波长为a,夹角为b,劈尖厚度为e,条纹间距为l,由2e+a/2=ak,lsinb=ek+1-ek,可推导则lsinb=a/2n,于是sinb=a/2nl,代入值即可
条纹宽度是相邻明条纹中心或相邻暗条纹中心间的距离,所以明条纹宽度等于暗条纹宽度,但明条纹比暗条纹宽,这个要区分清楚.双缝干涉的条纹间距公式是x=L/d*λ,其中l是光屏到双缝的距离,d是双缝的间距,λ
同一个条纹对应于同一个位相,对于迈克尔逊干涉仪来说,是一组同心圆,中间最疏,越往外越密.
两个的话就是达林顿管的接法了,用R,C或者L,C做震荡元件,通过控制三极管的导通和截至去输出波形,
因为你的两个镜子在逐渐变平行,平行以后是等倾干涉是圆条纹,不平行的时候是等厚干涉,是竖条纹!