一均匀带电球壳的电荷体密度为p.球壳内表面半径为

取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/(3

高斯定理做外面是pd/2ε0里面距离中心层x位置差场强px/2ε0

一：球内场强0,球外场强公式同点电荷.二：电场强度的分布同“一”,球心O的电势等于球表面的电势,公式同点电荷.

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

在球外,可以将这个球壳等效为全部电荷集中在球心的点电荷处理,电势分布为k*4paiR^2σ/r(r>R)在球内的时候因为球壳上均匀带电,可以证明在内部所受合力为零,因此无论如何移动都不做功,因此是一个

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即r再问：屌，大神，再

一均匀带电球体,半径为R,体电荷密度为p,今在球内挖去一半径为r（r<R）的球体,求证由此形成的空腔内的电场死均匀的,并求其值.10

由高斯定理可证,空腔内电场为零.再问：大物课你肯定没认真听讲..这问题我弄懂了没事了再答：你说说看再问：恩也有我没表达清楚的错误我是指的在大球里面随便挖一个小球，所以这个物理模型不具有很强的对称性，于

用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)

1.设未被挖时均匀带电球体在空腔所在位置处的场强,因为是均匀带点球体,直接采用高斯公式即可.2.再求出被挖去的球体在所求位置处的场强,同样利用高斯公式.3.将一和二求出的场强进行矢量相减即可得所求.

用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)

外磁场为零,内磁场为B_r=1/2μ_0pw(R^2-r^2),其方方向与角速度方向相同.其中R为圆柱半径,B_r为距离轴线距离为r处的磁场的强度.

球层的总电荷量为Q=[4Пρ（R2^3-R1^3）]/3所求电势为：V=Q/(K*r)(其中K=9.0*10^9为系数)因球层为均匀,故可用公式V=Q/(K*r)

如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导

先用高斯定理求出电场分布,再积分得到电势.圆柱体内电场pr/2e,外电场pR^2/2re,e这里是真空介电常数.外电势-(pR^2)(lnr)/(2e),内电势[-(pR^2)(lnr)/(2e)]+

OK

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场