5v导通型的mos管

5V1A一般用一个SB340DO-201AD,5V2A一般用两个SB340或SB540DO-201AD,也有只用一个的,看需要,12V1A一般用SB3100DO-201AD,12V2A一般用MBR10

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

GT2301VDS-20VVGS±12V启动低压0.4-0.9V满足你的要求绰绰有余Q：1291426253台产原厂销售

MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通.这个说的对.Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要

在选型MOS的时候,一定要看准你所需要的耐压、过流大小,电压并不是范围越大越好,盲目选择同类的高电压MOS会导致热耗增大!MOS是电压驱动型器件,为了增大MOS的耐压值,在工艺上会将导通内阻增大,这样

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

5V的MOS管就很少加上又是这种超低电流的目前是没有哦、600ma最低也是20V的

IRF3205,PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A⑤)

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

兄弟!以下有几款Mos管.都符合你的要求.随便抓一个就OK.至于接法嘛.很简单.D接输入.S接输出.G接IC脚.值得注意的是.G脚一定要接一个电阻到S.大概是100K吧.用于静噪.防止勿开启.封装一般

1、负载电流IL——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、MOS管最大允许工作温